宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸小，編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點，顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場上極具競爭力。與此同時，此新技術(shù)具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫10萬次，數(shù)據(jù)可保留100年。

該新制程兼容了宏力半導(dǎo)體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程，易于技術(shù)遷移。此兼容特性可確保讓客戶購買的標(biāo)準(zhǔn)單元庫和IP效益最大化，從而降低成本。

另外，宏力半導(dǎo)體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件，因此可以節(jié)省光罩層數(shù)。

“宏力正在進(jìn)行獨立閃存芯片的大批量運行生產(chǎn)，這使我們具有明顯的優(yōu)勢來確保穩(wěn)定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導(dǎo)體市場服務(wù)單位副總裁衛(wèi)彼得博士表示，“該新技術(shù)可廣泛應(yīng)用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車電子等領(lǐng)域，并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”